La première mémoire SRAM à 45nm fabriquée par Intel

Le prototype actuellement développé par Intel n'est encore qu'une démonstration de la technologie 45nm. Selon le vice-président, Bill Holt, cette technologie offrira aux futurs ordinateurs de meilleures performances par unité de puissance avec notamment une diminution notable des courants de fuite. Comparée au procédé à 65nm, la technologie 45nm permet de doubler la densité de transistors, d'augmenter de 20% les vitesses de commutation et de réduire de 30% la puissance de fonctionnement.

Le composant de test fabriqué par Intel intègre plusieurs circuits (mémoire, registre, boucle à verrouillage de phase, etc) et sa taille (119 mm2) ne dépasse pas celle d'un ongle. Avec les mêmes dimensions, le procédé 130nm employé 6 ans auparavant permettait de stocker 18 Mb de données contre 153 Mb pour la puce actuelle.

Intel aurait déclaré que le procédé de fabrication à 45nm intégrerait des interconnections en cuivre, des diélectriques à très faible permittivité ("low-k"), du silicium contraint et d'autres technologies avancées. Les chercheurs de la compagnie n'ont cependant pas dévoilé le matériau choisi (dioxyde de silicium ou diélectrique "high-k") pour la capacité de grille. Intel prévoit également d'utiliser la photolithographie à 193 nm plutôt que la lithographie par immersion comme cela avait été annoncé par certains experts.

Avec un temps de mise en production d'environ un an et demi, Intel prévoit de lancer la production à grande échelle des premiers circuits à partir du deuxième semestre de 2007. Ces mémoires seront fabriquées sur des sites de production aux Etats-Unis (Arizona, Oregon) et en Irlande.

Source : BE Etats-Unis du 9/02/2006